最早应用半导体 P-N 结发光原理制成的 LED 光源问世于 20 世纪 60 年代末。当时所用的材料是 GaAsP ，发红光（ λ p =650nm ），在驱动电流为 20 毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约 0.1 流明 / 瓦。70 年代中期，引入元素 In 和 N ，使 LED 产生绿光（ λ p =555nm ），黄光（ λ p =590nm ）和橙光（ λ p =610nm ），光效也提高到 1 流明 / 瓦。到了 80 年代初，出现了 GaAlAs 的 LED 光源，使得红色 LED 的光效达到 10 流明 / 瓦。90 年代初，发红光、黄光的 GaAlInP 和发绿、蓝光的 GaInN 两种新材料的开发成功，使 LED 的光效得到大幅度的提高。在 2000 年，前者做成的 LED在红、橙区（ λ p =615nm ）的光效达到 100 流明 / 瓦，而后者制成的 LED 在绿色区域（ λ p =530nm ）的光效可以达到 50 流明 / 瓦。